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1.電容式壓力、差壓傳感器的原理
電(dian)(dian)(dian)容式變送(song)器有一(yi)個可(ke)變電(dian)(dian)(dian)容的傳(chuan)(chuan)感(gan)組(zu)件．該傳(chuan)(chuan)感(gan)器是一(yi)個*封閉(bi)的組(zu)件過(guo)程壓力、差(cha)壓通過(guo)隔離(li)膜(mo)(mo)片和灌充液硅油(you)傳(chuan)(chuan)到傳(chuan)(chuan)感(gan)膜(mo)(mo)片引起位移．傳(chuan)(chuan)感(gan)膜(mo)(mo)片和兩電(dian)(dian)(dian)容極板(ban)之間(jian)的電(dian)(dian)(dian)容差(cha)由電(dian)(dian)(dian)子部件轉換成（4-20）mA的兩線(xian)制(zhi)輸出的電(dian)(dian)(dian)信號。
2 、陶瓷壓力傳感器原理及應用
抗腐蝕(shi)的(de)(de)(de)(de)陶(tao)(tao)瓷(ci)壓(ya)力傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)沒有液體的(de)(de)(de)(de)傳(chuan)(chuan)遞，壓(ya)力直接(jie)作用(yong)在陶(tao)(tao)瓷(ci)膜片的(de)(de)(de)(de)前(qian)表面(mian)，使膜片產生微(wei)小的(de)(de)(de)(de)形變(bian)，厚膜電(dian)阻(zu)印刷在陶(tao)(tao)瓷(ci)膜片的(de)(de)(de)(de)背面(mian)，連接(jie)成(cheng)一(yi)個惠斯通電(dian)橋(qiao)(qiao)（閉橋(qiao)(qiao)），由于壓(ya)敏電(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)(de)壓(ya)阻(zu)效應，使電(dian)橋(qiao)(qiao)產生一(yi)個與壓(ya)力成(cheng)正(zheng)比(bi)的(de)(de)(de)(de)高度(du)線(xian)性、與激勵(li)電(dian)壓(ya)也成(cheng)正(zheng)比(bi)的(de)(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)信(xin)號(hao)，標(biao)準(zhun)的(de)(de)(de)(de)信(xin)號(hao)根據壓(ya)力量程的(de)(de)(de)(de)不同標(biao)定為2.0/ 3.0 / 3.3mV/V等，可以(yi)和應變(bian)式(shi)傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)相兼容(rong)。通過激光(guang)標(biao)定，傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)具有很高的(de)(de)(de)(de)溫度(du)穩定性和時間穩定性，傳(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)自(zi)帶溫度(du)補償(chang)0～70℃，并可以(yi)和絕大(da)多(duo)數介(jie)質直接(jie)接(jie)觸。
3 、擴散硅（硅壓阻）壓力傳感器原理及應用
工(gong)作原(yuan)(yuan)理被測(ce)(ce)介(jie)質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)力直接作用(yong)(yong)于傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)膜片上(shang)（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chan)生(sheng)與(yu)介(jie)質(zhi)(zhi)壓(ya)(ya)(ya)力成正(zheng)比的(de)(de)(de)(de)(de)微位移，使傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)電阻值發生(sheng)變化(hua)，和用(yong)(yong)電子線路檢測(ce)(ce)這一變化(hua)，并轉(zhuan)換輸出(chu)一個(ge)對(dui)應(ying)于這一壓(ya)(ya)(ya)力的(de)(de)(de)(de)(de)標準測(ce)(ce)量信號。利用(yong)(yong)應(ying)變電阻式(shi)工(gong)作原(yuan)(yuan)理，采用(yong)(yong)硅(gui)-藍寶石作為半導體(ti)敏感(gan)元(yuan)件，具(ju)有****的(de)(de)(de)(de)(de)計量特(te)性。一般的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)壓(ya)(ya)(ya)變送(song)器(qi)(qi)所用(yong)(yong)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)種(zhong)類有很(hen)多(duo)(duo)，幾(ji)十年來技(ji)(ji)(ji)(ji)術更(geng)新出(chu)很(hen)多(duo)(duo)種(zhong)；例如差(cha)壓(ya)(ya)(ya)變送(song)器(qi)(qi)，用(yong)(yong)擴(kuo)散硅(gui)做差(cha)壓(ya)(ya)(ya)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)那已經是(shi)(shi)(shi)很(hen)落后技(ji)(ji)(ji)(ji)術了(le)。電容的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)壓(ya)(ya)(ya)模盒是(shi)(shi)(shi)所用(yong)(yong)較多(duo)(duo)的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術，典型的(de)(de)(de)(de)(de)就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)羅(luo)斯蒙特(te)的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)壓(ya)(ya)(ya)變送(song)器(qi)(qi)，它所用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術就(jiu)(jiu)是(shi)(shi)(shi)電容技(ji)(ji)(ji)(ji)術，這種(zhong)技(ji)(ji)(ji)(ji)術也是(shi)(shi)(shi)比較古老的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術了(le)，但是(shi)(shi)(shi)可(ke)以說(shuo)這個(ge)技(ji)(ji)(ji)(ji)術是(shi)(shi)(shi)目前經久(jiu)不衰的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術。其(qi)他(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)壓(ya)(ya)(ya)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)出(chu)現了(le)硅(gui)諧振等(deng)新式(shi)技(ji)(ji)(ji)(ji)術，例如日本EJA等(deng)。在性能方(fang)面無(wu)論是(shi)(shi)(shi)電容式(shi)還是(shi)(shi)(shi)其(qi)他(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)都有各自(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)優缺點，在性能方(fang)面是(shi)(shi)(shi)不相上(shang)下的(de)(de)(de)(de)(de)！但是(shi)(shi)(shi)技(ji)(ji)(ji)(ji)術歸技(ji)(ji)(ji)(ji)術，你還要考慮到生(sheng)產(chan)廠(chang)家的(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)工(gong)藝等(deng)因素對(dui)產(chan)品質(zhi)(zhi)量的(de)(de)(de)(de)(de)影響，所以*好還是(shi)(shi)(shi)選擇正(zheng)規(gui)有實力的(de)(de)(de)(de)(de)廠(chang)家的(de)(de)(de)(de)(de)差(cha)壓(ya)(ya)(ya)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)！
4. 單晶硅傳感器
在(zai)(zai)單(dan)晶硅芯片上采用(yong)微(wei)(wei)電子機械(xie)加(jia)工(gong)技術(MEMS)，分別在(zai)(zai)其表面的(de)(de)(de)中心(xin)和(he)邊緣(yuan)制成兩個(ge)形(xing)狀、大小*一(yi)致的(de)(de)(de)H形(xing)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)，且處(chu)(chu)于微(wei)(wei)型真(zhen)空腔中，使其既不與充灌液接(jie)觸，又確保振(zhen)(zhen)(zhen)動(dong)時不受空氣阻尼的(de)(de)(de)影響。硅諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)處(chu)(chu)于由磁(ci)(ci)鐵提供的(de)(de)(de)磁(ci)(ci)場中，與變(bian)(bian)壓器、放大器等(deng)組(zu)成一(yi)正反饋回路，讓諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)在(zai)(zai)自激振(zhen)(zhen)(zhen)蕩回路中作高頻(pin)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩。當單(dan)晶硅片的(de)(de)(de)上下表面受到壓力(li)(li)并形(xing)成壓力(li)(li)差時，硅片將產生變(bian)(bian)形(xing)，導(dao)致中心(xin)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)因壓縮(suo)力(li)(li)而頻(pin)率(lv)(lv)減小，邊緣(yuan)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)因受拉伸力(li)(li)而頻(pin)率(lv)(lv)增加(jia)，因而使兩個(ge)H形(xing)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)分別感(gan)受到不同應變(bian)(bian)作用(yong)，其結果是中心(xin)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)因受壓縮(suo)力(li)(li)而頻(pin)率(lv)(lv)減少，邊緣(yuan)諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)(zhen)梁(liang)因受到張力(li)(li)而頻(pin)率(lv)(lv)增加(jia)，兩個(ge)頻(pin)率(lv)(lv)之差對應不同的(de)(de)(de)壓力(li)(li)信號
